BFN 39 H6327 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BFN 39 H6327詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS RF PNP 300V SOT223

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：200mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 30mA，10V

功率_最大：1.5W

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• C1812C823J1GACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 0.082UF 100V 5% NP0 1812

• BFN 38 H6327

  晶體管(BJT) - 單路    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    TRANS RF NPN 70 MHZ 300V SOT223

• BFP 720 H6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    SC-82A，SOT-343    TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343

• C0603C154J4RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.15UF 16V 5% X7R 0603

• BR24L04FVT-WE2

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP

• C0805C272K3RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2700PF 25V 10% X7R 0805

• BMI-S-102

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    0805（2012 公制）    BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE

• C1812C823J1GACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 0.082UF 100V 5% NP0 1812

• BFP 720 H6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    SC-82A，SOT-343    TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343

• BR24L04FVT-WE2

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP

• C0603C154K4RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.15UF 16V 10% X7R 0603

• C0805C272K5HACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805

• BMI-S-102

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    0805（2012 公制）    BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE

• BFP 183W E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    SC-82A，SOT-343    TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343

• BFP 720FESD E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    4-SMD，扁平引線    TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4